包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: