品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8011KNXC7G
功率:65W
阈值电压:4.5V@5.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":40,"21+":770,"23+":782,"MI+":150}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8011KNXC7G
功率:65W
阈值电压:4.5V@5.5mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":40,"21+":770,"23+":782,"MI+":150}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):15A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@300mA,12A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8011KNXC7G
功率:65W
阈值电压:4.5V@5.5mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8011KNXC7G
功率:65W
阈值电压:4.5V@5.5mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: