采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600，"18+"：1900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU931P
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：15A
功率：135W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@250mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600，"18+"：1900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU931P
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：15A
功率：135W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@250mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600，"18+"：1900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2479，"MI+"：866}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1204R7BFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：715pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU931P
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：15A
功率：135W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@250mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU931P
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：15A
功率：135W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@250mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：2620，"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：2620，"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@25V
连续漏极电流：5.9A€41A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@41A，10V
漏源电压：105V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
