品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
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连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
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漏源电压:150V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
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连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
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漏源电压:400V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":734}
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销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
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连续漏极电流:10.5A
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导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: