品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@290µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:422pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:635pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP6NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:905pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1055pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@22.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:422pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP6NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:905pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10P6F6
工作温度:175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: