采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9876，"11+"：4050，"12+"：4300，"14+"：28950，"15+"：1200，"16+"：118654，"17+"：29416，"9999"：299，"MI+"：10850}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：284034，"13+"：261755，"18+"：500，"9999"：215}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9876，"11+"：4050，"12+"：4300，"14+"：28950，"15+"：1200，"16+"：118654，"17+"：29416，"9999"：299，"MI+"：10850}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：284034，"13+"：261755，"18+"：500，"9999"：215}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1000，"22+"：13500，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R460CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@3.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1000，"22+"：13500，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R460CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@3.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：284034，"13+"：261755，"18+"：500，"9999"：215}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NDF05N50ZH
漏源电压：500V
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：632pF@25V
包装方式：管件
功率：30W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
