品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.26Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK32A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@60V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@16A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":145,"17+":177,"20+":162}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1002DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6450pF@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21NM60ND
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: