品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:257.3pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB041PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@100V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@21.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:249pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM043NB04CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4928pF@20V
连续漏极电流:16A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7N90CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB041PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@100V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@21.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1273pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:249pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: