采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2222LL-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2222LL-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：5A
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工作温度：150℃
功率：650mW
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栅极电荷：17nC@5V
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：Microchip
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN2222LL-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
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栅极电荷：17nC@5V
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连续漏极电流：5A
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类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：剪切带（CT）
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栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：5A
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类型：P沟道
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：17nC@5V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2222LL-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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