采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：17A€98A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW180N03TB
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1025P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：6000，"09+"：99000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：338mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：剪切带（CT）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8J2TB
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSN1N45BTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：291426，"MI+"：2000}
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ART700FHGJ
功率：700W
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：200MHz
功率：300mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：J211-D74Z
功率：25V
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：25V
类型：N 通道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
