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    包装方式: 剪切带(CT)
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    当前匹配商品:60+
    商品信息
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    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DI9435T 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DI9435T 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI9435T

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBV5605T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBV5605T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBV5605T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@8.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBV5605T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBV5605T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBV5605T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@8.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2202PT1 起订6411个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2202PT1 起订6411个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1253782,"9999":960,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2202PT1

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.2Ω@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 MMFTP84 起订250个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 MMFTP84 起订250个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMFTP84

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@130mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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