采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：2990，"04+"：3000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极电流(Ic)：200mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
输入电阻：47kΩ
集电极电流(Ic)：200mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：2990，"04+"：3000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
