采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
功率：83W
导通电阻：213mΩ@1A，4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4355pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：9A
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
功率：83W
导通电阻：213mΩ@1A，4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4355pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
