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    漏源电压: 200V
    功率: 83W
    阈值电压: 3.5V@250μA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.355nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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