采购热线 400-661-9010
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
