采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS3034TRL7PP
功率：380W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10990pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@20V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ860EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：553pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LFG-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.62W€65.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2798pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV130ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@20V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS3034TRL7PP
功率：380W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10990pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2907，"22+"：1043}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB3034PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：10315pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：40，"21+"：1，"22+"：275}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLP3034PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：10315pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
