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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R114MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€86W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€81W
阈值电压：2.4V@200µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@46A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
