品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:1.07nC@4.5V
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:1.07nC@4.5V
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:1.07nC@4.5V
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:1.07nC@4.5V
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS040N02DP
功率:55W
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@2V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS040N02DP
功率:55W
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@2V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@4.5V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:777pF@10V
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:26A
反向传输电容:140pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS040N02DP
功率:55W
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@2V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@4.5V,930mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: