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    漏源电压: 20V
    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 700mV@250μA
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
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    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订38个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订38个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订47个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订47个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416A 起订110个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416A 起订110个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    功率:1.39W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:10nC

    输入电容:1.3nF

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订27个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订27个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26N02K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    输入电容:777pF@10V

    连续漏极电流:26A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF@10V

    导通电阻:9mΩ@4.5V,3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@4.5V,4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@4.5V,4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订100个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订100个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订35个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订35个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26N02K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    输入电容:777pF@10V

    连续漏极电流:26A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF@10V

    导通电阻:9mΩ@4.5V,3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订55个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR 起订55个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS040N02DP 起订10个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS040N02DP 起订10个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS040N02DP

    功率:55W

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@2V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS040N02DP 起订30个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS040N02DP 起订30个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS040N02DP

    功率:55W

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@2V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416A 起订69个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416A 起订69个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    功率:1.39W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:10nC

    输入电容:1.3nF

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订35个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订35个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26N02K

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:26nC@4.5V

    导通电阻:9mΩ@4.5V,3A

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    功率:33W

    输入电容:777pF@10V

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:26A

    反向传输电容:140pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416 起订103个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416 起订103个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416

    功率:1.39W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:10nC

    输入电容:1.3nF

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416A 起订92个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416A 起订92个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    功率:1.39W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:10nC

    输入电容:1.3nF

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416 起订129个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416 起订129个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416

    功率:1.39W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:10nC

    输入电容:1.3nF

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416 起订152个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3416 起订152个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416

    功率:1.39W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:10nC

    输入电容:1.3nF

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26N02K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    输入电容:777pF@10V

    连续漏极电流:26A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF@10V

    导通电阻:9mΩ@4.5V,3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS040N02DP 起订1个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS040N02DP 起订1个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS040N02DP

    功率:55W

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@2V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2402TRPBF 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2402TRPBF 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540mW

    阈值电压:700mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@4.5V,930mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26N02K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26N02K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    输入电容:777pF@10V

    连续漏极电流:26A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF@10V

    导通电阻:9mΩ@4.5V,3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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