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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：35A
栅极电荷：63nC@4.5V
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：3860pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：35A
栅极电荷：63nC@4.5V
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：3860pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：35A
栅极电荷：63nC@4.5V
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：3860pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：777pF@10V
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：26A
反向传输电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTG030P02A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：100nC@4.5V
输入电容：15nF@10V
连续漏极电流：85A
类型：1个P沟道
反向传输电容：1.068nF@10V
导通电阻：2.1mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
