首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:515mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:79mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订43个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订43个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123LQ-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123LQ-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2123LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123LQ-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123LQ-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2123LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN48XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMS5P02R2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMS5P02R2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMS5P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@16V

    连续漏极电流:3.95A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:515mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:79mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2215L-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2215L-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2215L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2130L-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2130L-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2225LQ-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2225LQ-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2225LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":423,"18+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN48XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPE,115 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPE,115 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNEAR 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNEAR 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€6.94W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2225L-7 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2225L-7 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2225L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2130L-7 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2130L-7 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123LQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123LQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2123LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100XPEAR 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100XPEAR 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:463mW€1.9W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:386pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:128mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN27XPE,115 起订674个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN27XPE,115 起订674个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":34557}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN27XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2170U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧