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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2130L-7
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2130L-7
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：515mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：7.3nC@4.5V
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.25V@250µA
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：7.3nC@4.5V
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2123L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.4W
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输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2130L-7
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功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
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类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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输入电容：443pF@16V
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类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
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