品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2450UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@10V
连续漏极电流:1.03A€700mA
类型:N和P沟道
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@10V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":81000,"22+":122500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@10V
连续漏极电流:29.7A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV75UP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: