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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：8540，"17+"：9000，"19+"：7250，"20+"：32000，"21+"：246000，"MI+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
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功率：400mW
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栅极电荷：6.2nC@4.5V
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连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
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类型：N沟道
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生产批次：{"16+"：8540，"17+"：9000，"19+"：7250，"20+"：32000，"21+"：246000，"MI+"：18000}
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规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
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功率：400mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：400mW
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类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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