采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XPA2R
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：857pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28XPEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：857pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415A-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415A-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D38-20PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€19W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@10V
连续漏极电流：6A€18A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@6A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
