采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：114pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：420mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.86nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY300NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.86nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB900UELZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNELZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNELZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB900UELZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB900UELZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB900UELZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
