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    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 600mA
    功率: 360mW
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订50000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订50000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订20000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订20000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

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    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订33个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订33个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订42个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订42个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

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    类型:N沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

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    功率:360mW

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    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

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    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订100000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订100000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订48个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订48个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    输入电容:52.5pF@16V

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    输入电容:52.5pF@16V

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订30000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订30000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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