品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
功率:1.4W
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:630pF@10V
导通电阻:24mΩ@6A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7900AEDN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:1.5W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
导通电阻:26mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
类型:N和P沟道
导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:520pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.95W€10W
输入电容:350pF@10V
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:1140pF@10V
功率:1.8W
栅极电荷:12.5nC@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:1490pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:22nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€6.3W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2945pF@10V
阈值电压:1.1V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:5.7W
类型:P沟道
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:835pF@10V
类型:P沟道
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3420A-TP
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:515pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2565pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:6A
功率:2.6W€23W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207SPH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1007pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:1.2V@40µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
导通电阻:41mΩ@6A,4.5V
连续漏极电流:6A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3420A-TP
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:515pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1360pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.2V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:550pF@16V
类型:N沟道
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: