品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS816NWH6327
功率:500mW
阈值电压:750mV@3.7μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@2.5V,1.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS816NWH6327
功率:500mW
阈值电压:750mV@3.7μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@2.5V,1.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS816NWH6327
功率:500mW
阈值电压:750mV@3.7μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@2.5V,1.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS816NWH6327
阈值电压:750mV@3.7μA
功率:500mW
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:160mΩ@2.5V,1.4A
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:235mΩ@4.5V,800mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56ACT,L3F
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:235mΩ@4.5V,800mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:235mΩ@4.5V,800mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:235mΩ@4.5V,800mA
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存: