品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5V,6.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5V,6.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@4.5V,4.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@10μA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
输入电容:700pF@16V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5V,6.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2225
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@5μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@4.5V,4.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2225
规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.1V@5μA
类型:1个N沟道
输入电容:290pF@16V
连续漏极电流:4.1A
功率:1.3W
栅极电荷:3.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:46mΩ@4.5V,4.1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: