品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4002-3/TR
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4002-3/TR
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012XT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:410mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012XT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:410mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:570pC@4.5V
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:570pC@4.5V
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: