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    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS223PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.2V@1.5µA

    栅极电荷:0.62nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@15V

    连续漏极电流:390mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT2G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT2G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004VK-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004VK-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004VK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订2436000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订2436000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2240UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UWQ-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UWQ-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2240UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS223PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.2V@1.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.62nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@15V

    连续漏极电流:390mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1031R-T1-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1031R-T1-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1031R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2240UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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