品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223P H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V
栅极电荷:620pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:390mA
类型:MOSFET
导通电阻:700mΩ€1.27Ω
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012XT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:410mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012XT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:410mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
功率:250mW
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:500mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:49pF@16V
栅极电荷:700pC@4.5V
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:485mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:485mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:485mA€370mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004WK-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:400mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1016X-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:750pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA€370mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004WK-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:400mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: