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    连续漏极电流
    漏源电压: 20V
    类型: 1个N沟道
    功率: 150mW
    当前匹配商品:30+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:630mΩ@5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM002N02T2L 起订数500个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM002N02T2L 起订数500个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数10个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数10个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:630mΩ@5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:630mΩ@5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数500个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数500个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数10个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数10个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数100个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数100个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数100个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数100个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订数3000个
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订数3000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:7.1pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订数3000个
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订数3000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:100mA

    输入电容:7.1pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:7.1pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C002UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C002UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数21000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数21000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@10V,300mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数25个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数25个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@100μA

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:630mΩ@5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数10个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数10个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@100μA

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM001L02T2CL 起订数2000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM001L02T2CL 起订数2000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:7.1pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C002UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C002UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数30000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数30000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数1000个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数1000个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@100μA

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数250个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16FU,LF 起订数250个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@100μA

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:630mΩ@5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56FS,LF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56FS,LF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56FS,LF

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1nC@4.5V

    输入电容:55pF@10V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:800mA

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C001UNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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