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    漏源电压
    20V
    行业应用
    包装方式
    漏源电压: 20V
    类型: 2N沟道(双)
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:2500+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订22个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订22个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1024UV-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1024UV-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1024UV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1.38A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005DLP4K-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005DLP4K-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:900mV@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA938DJT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA938DJT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA938DJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€7.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K7T2CR 起订27个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K7T2CR 起订27个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K7T2CR

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@200mA,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2029USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1171pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":173000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290XN,115 起订20个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290XN,115 起订20个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:410mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@20V

    连续漏极电流:860mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FE,LM(T 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FE,LM(T 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FE,LM(T

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005DLP4K-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005DLP4K-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:900mV@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FUTE85LF 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FUTE85LF 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N16FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6401N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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