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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"14+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8653-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6276TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6276TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"14+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8653-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6276TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6276TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
