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    漏源电压: 20V
    类型: 2个P沟道(双)
    阈值电压: 1V@250µA
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75301W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6963SDCA RVG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6963SDCA RVG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1967DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7324TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订666个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订666个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":912,"22+":2830,"23+":1772}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7324TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UDM-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UDM-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2240UDM-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004VK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004VK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004VK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:530mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UDM-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2240UDM-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2240UDM-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1023CX-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1023CX-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1023CX-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:756mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7324TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMKDM8005 TR PBFREE 起订100个装
    Central Mosfet场效应管 CMKDM8005 TR PBFREE 起订100个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1848

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMKDM8005 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@16V

    连续漏极电流:650mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1023UVQ-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1023UVQ-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1023UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59pF@16V

    连续漏极电流:1.03A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订2045个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订2045个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":20,"23+":1900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMKDM8005 TR PBFREE 起订1000个装
    Central Mosfet场效应管 CMKDM8005 TR PBFREE 起订1000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1848

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMKDM8005 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@16V

    连续漏极电流:650mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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