品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":28246}
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13.5pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}
规格型号(MPN):NTUD3129PT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:140mA
功率:125mW
输入电容:12pF@15V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.54W
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":20000}
规格型号(MPN):FDME1023PZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1023UV-7
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
功率:530mW
连续漏极电流:1.03A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:59.76pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2301-TP
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1023UVQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
类型:2个P沟道(双)
功率:530mW
连续漏极电流:1.03A
阈值电压:1V@250µA
输入电容:59pF@16V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1023UV-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
类型:2个P沟道(双)
功率:530mW
连续漏极电流:1.03A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:59.76pF@16V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-BE3
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:740mW€1.25W
连续漏极电流:1A€1.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.54W
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG
输入电容:1500pF@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.5A
功率:1.14W
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:455pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2301-TP
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: