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    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD3148NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD3148NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD3148NT1G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS3423 起订38个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS3423 起订38个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS3423

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:92mΩ@10V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9926A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1601 起订119个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1601 起订119个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1601

    功率:900mW

    阈值电压:700mV

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9926A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6898AZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6898AZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6898AZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1821pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6898AZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6898AZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6898AZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1821pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6875 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6875 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6875

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9934C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9934C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9934C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A€5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6898AZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6898AZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6898AZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1821pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFU-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFU-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:20.2mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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