采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：890mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，890mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：890mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，890mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：480mΩ@4.5V，780mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：310mW
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
