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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:568mW(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:4.5 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:1.4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:568mW(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:4.5 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:1.4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),5.7W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    输入电容:3700 pF @ 10 V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:568mW(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:4.5 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:1.4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订数42000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订数42000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W(Ta)

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:9 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:3.6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825 pF @ 10 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.4W(Ta),17.9W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:12A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:33 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:800mV @ 850µA

    栅极电荷:125 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:10A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:8.75 毫欧 @ 14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.5W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24 nC @ 8 V

    输入电容:860 pF @ 10 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:27 毫欧 @ 5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.14W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 10 V

    连续漏极电流:5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ710DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ710DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ710DT-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:27W,48W

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF @ 10V

    连续漏极电流:16A,35A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:6.8 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数15000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数15000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),62.5W(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:53 nC @ 10 V

    输入电容:3415 pF @ 10 V

    连续漏极电流:50.2A(Ta),177A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.35 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta),2.5W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:25 nC @ 4.5 V

    输入电容:1090 pF @ 10 V

    连续漏极电流:4.6A(Ta),6A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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