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    品牌: GIGADEVICE
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:90+
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订3000个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    输入电容:840pF@10V

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1000个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

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    漏源电压:20V

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

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    漏源电压:20V

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订6个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1000个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订1000个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订100个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

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    漏源电压:20V

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订22个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订22个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:150℃

    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订500个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

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    功率:150mW

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    输入电容:42pF@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订2000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订2000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订5000个装
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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