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    品牌: GIGADEVICE
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150°C

    功率:150mW(Ta)

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40 pF @ 10 V

    连续漏极电流:300mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    工作温度:150°C

    功率:150mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42 pF @ 10 V

    连续漏极电流:250mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K361TU,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K361TU,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF

    工作温度:175℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175°C

    功率:87W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670 pF @ 20 V

    连续漏极电流:58A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.1 毫欧 @ 29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:100W(Tc)

    阈值电压:4V @ 450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730 pF @ 300 V

    连续漏极电流:11.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:290 毫欧 @ 5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30.1 毫欧 @ 4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:100W(Tc)

    阈值电压:4V @ 450µA

    栅极电荷:25 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730 pF @ 300 V

    连续漏极电流:11.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:290 毫欧 @ 5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K361TU,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K361TU,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF

    工作温度:175°C

    功率:1W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 100µA

    栅极电荷:3.2 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430 pF @ 15 V

    连续漏极电流:3.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:69 毫欧 @ 2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

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