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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：4V @ 360µA
栅极电荷：20 nC @ 10 V
输入电容：590 pF @ 300 V
连续漏极电流：9.7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：380 毫欧 @ 4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：4V @ 450µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：730 pF @ 300 V
连续漏极电流：11.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：290 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：4V @ 450µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：730 pF @ 300 V
连续漏极电流：11.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：290 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：650V
阈值电压：4V @ 240µA
连续漏极电流：7A（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
类型：N 通道
功率：60W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1030 pF @ 10 V
类型：P 通道
功率：1W（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
