品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:4V @ 360µA
栅极电荷:20 nC @ 10 V
输入电容:590 pF @ 300 V
连续漏极电流:9.7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:380 毫欧 @ 4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:4V @ 240µA
栅极电荷:14.5 nC @ 10 V
输入电容:380 pF @ 300 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:4V @ 240µA
栅极电荷:14.5 nC @ 10 V
输入电容:380 pF @ 300 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:4V @ 240µA
栅极电荷:14.5 nC @ 10 V
输入电容:380 pF @ 300 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:4V @ 450µA
栅极电荷:25 nC @ 10 V
输入电容:730 pF @ 300 V
连续漏极电流:11.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:290 毫欧 @ 5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:4V @ 450µA
栅极电荷:25 nC @ 10 V
输入电容:730 pF @ 300 V
连续漏极电流:11.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:290 毫欧 @ 5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: