品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
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连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
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连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
输入电容:125pF@20V
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
阈值电压:1V@1mA
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:530mA
功率:1W
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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