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    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:154pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@170mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD5T40P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:273pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP298H6327XUSA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP298H6327XUSA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":942}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3N40K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@600mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7NK40ZT4 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD7NK40ZT4 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7NK40ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.7A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N40M2 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N40M2 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N40M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2540N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP179H6327XTSA1 起订822个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP179H6327XTSA1 起订822个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":41068}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP179H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:18Ω@210mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2540N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB11NK40ZT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB11NK40ZT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB11NK40ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:154pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@170mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR320TR-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR320TR-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR320TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:154pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@170mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASTRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASTRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP2540N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP2540N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP2540N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@25V

    连续漏极电流:125mA

    类型:P沟道

    导通电阻:25Ω@100mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STD5NK40ZT4 起订12个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40ZT4 起订12个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NK40ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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