采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
栅极电荷：238 nC @ 20 V
功率：310W（Tc）
类型：N 通道
连续漏极电流：75A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
漏源电压：100V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
栅极电荷：238 nC @ 20 V
功率：310W（Tc）
类型：N 通道
连续漏极电流：75A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
漏源电压：100V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），250W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：113 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295 pF @ 50 V
连续漏极电流：200A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3 毫欧 @ 26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W（Ta），156W（Tc）
栅极电荷：111 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：7835 pF @ 50 V
导通电阻：2.95 毫欧 @ 24A，10V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：24A（Ta），162A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
