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    阈值电压
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    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    漏源电压: 100V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1.9万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD482

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7350pF@25V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7630pF@50V

    连续漏极电流:36A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB55N10TM

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),155W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:98 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPF042N10NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:3.8V@93µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@50V

    连续漏极电流:21A€139A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.25mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N10S402ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N10S402ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.5V@275µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14600pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@13µA

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:27.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRL7PP 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRL7PP 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLS4030TRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11490pF@50V

    连续漏极电流:190A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@110A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100YSEX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100YSEX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@50V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2832pF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG014N10NM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG014N10NM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTG014N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:211nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@50V

    连续漏极电流:37A€366A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@150A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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