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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT280ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT280ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
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输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN280ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN280ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN280ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN280ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT280ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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